技術資源

準分子激光高壓電源光學 - 電學同步系統

準分子激光憑借 193nm 248nm 短波長、1-10ns 脈沖寬度的特性，廣泛應用于光刻膠刻蝕、材料表面改性，其高壓電源需為激光腔提供 20-50kV

光刻機高壓電源抗單粒子效應加固

光刻機作為半導體制造的核心設備，其高壓電源需為靜電吸盤（ESC）、光源驅動模塊提供 ±0 01% 精度的穩定供電，而單粒子效應（SEE

離子注入高壓電源能量時空分布控制

一、工藝需求與控制難點離子注入是半導體摻雜的核心工藝，通過將特定離子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圓，形成精確的

靜電卡盤高壓電源表面微等離子體抑制

一、應用場景與問題成因靜電卡盤（ESC）是半導體制造（如刻蝕、薄膜沉積）中晶圓夾持的核心部件，通過高壓電源提供靜電力實現晶圓無接觸固

電鏡高壓電源超導量子干涉儀供電

一、應用背景與技術需求電子顯微鏡（如透射電鏡 TEM、掃描電鏡 SEM）是材料微觀結構表征的核心設備，其分辨率與加速電壓穩定性直接相關；

蝕刻設備高壓電源工藝窗口智能尋優技術及應用

蝕刻工藝是半導體制造中 圖形轉移 的關鍵環節，需通過高壓電源驅動等離子體（如 CF4、O2 等離子體）對晶圓表面材料進行選擇性刻蝕，而

準分子激光高壓電源放電通道智能調節技術及應用

準分子激光（如 KrF、ArF 激光）因短波長（193-248nm）、高能量密度特性，廣泛應用于半導體光刻、精密材料加工及醫療激光領域，而高壓電

光刻機高壓電源多諧振腔協同穩壓技術及應用

在先進半導體制造中，光刻機作為 芯片印鈔機，其曝光精度直接決定芯片制程極限，而高壓電源作為光刻光源（如極紫外光 EUV）的能量核心，

離子注入高壓電源脈沖波形遺傳算法優化

離子注入技術是半導體制造中實現精準摻雜的核心工藝，離子注入高壓電源輸出的脈沖波形參數（如幅值、脈寬、上升沿 下降沿時間）直接影