光刻機高壓電源多維度 EMI 屏蔽

光刻機作為半導體制造的核心設備，其納米級光刻精度直接決定芯片良率，而高壓電源作為光刻機的動力核心，電磁干擾（EMI）是制約其性能的關鍵瓶頸。光刻機工作環境中，高壓電源內開關管高頻開關（10kHz-1MHz）會產生傳導與輻射干擾，高壓放電形成的電磁脈沖還會耦合至光學系統與精密傳動部件，導致套刻精度偏差超 2nm，嚴重影響芯片制造質量。
針對該問題，需構建多維度 EMI 屏蔽體系。在結構層面，采用高導電率銅合金（導電率≥98% IACS）制作屏蔽外殼，接縫處嵌入鈹銅導電襯墊，縫隙控制在 0.1mm 以內，同時內部粘貼鐵氧體吸波材料（初始磁導率≥2000），吸收 100MHz-1GHz 頻段輻射；電路設計上，將高壓功率回路與控制回路進行 PCB 分區布局，控制回路覆蓋接地屏蔽層，采用 “低頻單點接地 + 高頻多點接地” 混合方式，輸入輸出端配置 EMI 濾波器（共模電感 10mH-100mH、差模電容 0.1μF-1μF）；系統級屏蔽則通過電磁隔離屏障，實現高壓電源與光刻機光學模塊的空間隔離，隔離距離≥30cm。
經 IEC 61000-6-4 標準測試，屏蔽后電源輻射騷擾在 30MHz-1GHz 頻段≤40dBμV/m，傳導騷擾在 150kHz-30MHz 頻段≤60dBμV，滿足光刻機 EMC 要求。實際應用中，光刻套刻精度穩定在 2nm 以內，芯片良率提升 3%，驗證了多維度 EMI 屏蔽方案的有效性。